全球首个（gè）第六代HBM！三星完成HBM四内存逻辑芯片设计：四nm工艺、性能（néng）大（dà）爆发

本站一月五日消息，据韩国（guó）朝鲜日报报导，三星DS部门存储业务部最近完成了HBM四内存的（de）逻辑芯片设计。Foundry业务部方面也（yě）已经根据该设计，采用四nm试产。 待完成逻辑芯片最终性能（néng）验证后（hòu），三星将提供HBM四样品验证。

逻辑芯片即Logic die（又名Base die），对（duì）HBM堆叠发挥大（dà）脑作用，负责控制上（shàng）方多层DRAM芯片。

报导引用韩国（guó）市场人（rén）士说（shuō）法，运行（xíng）时（shí）发热是（ shì）HBM的（de）最大（dà）敌人（rén），而（ér）在（zài）堆栈整体中（zhōng）逻辑芯片更是（ shì）发热大（dà）户，采先进制程有（yǒu）助改善HBM四能（néng）效与性能（néng）表现。

除自（zì）家（jiā）四nm制造逻辑芯片外，HBM四还导入一0nm制程生（nián）产DRAM。

HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，主要（yào）应用于（yú）高性能（néng）计算（HPC）、人（rén）工智能（néng）（AI）和（hé）图形处理（GPU）等领域。

HBM的（de）优点在（zài）于（yú）打破了内存带宽及功耗瓶颈。其核心优势在（zài）于（yú）采用了三D堆叠技术，将多个（gè）DRAM芯片垂直堆叠在（zài）一起，通过（guò）硅通孔（TSV）技术实现芯片间的（de）高速信号传输，大（dà）大（dà）缩短了数据传输的（de）距离和（hé）延迟，从而（ér）能（néng）够以（yǐ）极高的（de）带宽为（wéi / wèi）处理器提供数据支持。

HBM特性尤其适合搭配GPU进行（xíng）密集数据的（de）处理运算。英伟达新一代AI芯片，均搭载HBM内存。

HBM产品问世至今，HBM技术已经发展至第六代，分别为（wéi / wèi）HBM、HBM二、HBM二e、HBM三，HBM三e（HBM三的（de）扩展版本）以（yǐ）及HBM四。

HBM一作为（wéi / wèi）最早的（de）版本，带来（lái）了一二八GB/s的（de）带宽，开启了高带宽内存的（de）应用。随后（hòu），HBM二、HBM三等相继问世，每一代都在（zài）带宽、容量和（hé）能（néng）效等关键指标上（shàng）实现了显著突破。

从业界数据来（lái）看，HBM四标准支持二0四八位接口和（hé）六.四GT/s的（de）数据传输速率。相比HBM三E，HBM四的（de）单个（gè）堆栈带宽已达到（）一.六TB/s，极大（dà）地（dì）提升了内存系统的（de）数据吞吐能（néng）力，能（néng）够更高效地（dì）满足人（rén）工智能（néng）、深度学习、大（dà）数据处理和（hé）高性能（néng）计算等领域对（duì）内存性能（néng）日益苛刻的（de）需求。

HBM供应商在（zài）各代产品中（zhōng）往往会（huì）推出（chū）不（bù）同堆栈层数的（de）产品，如HBM三e的（de）八hi（八层）及一二hi（一二层），而（ér）HBM四世代则规划了一二hi及一六hi。

去（qù）年（nián）一一月，三星电子（zǐ）存储部门执行（xíng）副总裁Jaejune Kim在（zài）第三季度财报公布后（hòu）召开的（de）电话会（huì）议上（shàng）表示，今年（nián）三季度HBM总销售额环比增长超过（guò）七0%，HBM三E 八层和（hé）一二层堆叠产品均已量产并开始销售，HBM三E的（de）销售占比已上（shàng）升至HBM总销售额的（de）一0%左右，预计第四季度HBM三E将占HBM销售额的（de）五0%左右。

三星的（de）HBM四开发工作正在（zài）按计划进行（xíng），目标是（ shì）在（zài）二0二五年（nián）下（xià）半年（nián）开始量产。