中（zhōng）国（guó）内存产业迎头赶上（shàng）！AI需求助推长鑫逐步缩小差距

本站一月一七日消息，据媒体报道（dào），随着生（nián）成式AI技术的（de）发展，中（zhōng）国（guó）在（zài）内存市场的（de）影响力持续攀升，未来（lái）增长潜力巨大（dà）。

调研机构Counterpoint Research近日报告显示，尽管仍面临技术瓶颈和（hé）美国（guó）法规的（de）挑战，中（zhōng）国（guó）内存制造商长鑫存储（CXMT）正通过（guò）技术进步与市场拓展，逐步缩小与全球领先企业的（de）差距。

Counterpoint Research表示，长鑫存储将在（zài）二0二四年（nián）占全球DRAM总产能（néng）一三%，出（chū）货量占比约六%，营收占比约三.七%，并预计在（zài）二0二五年（nián）产能（néng）将接近美光。

目前长鑫存储产量和（hé）营收较低，主要（yào）原因是（ shì）技术落后（hòu）、良率低以（yǐ）及定价问题，但这（zhè）一差距有（yǒu）望逐渐缩小，二0二四年（nián），长鑫存储每片晶圆的（de）产量比竞争者少四二%，预计到（）二0二五年（nián）将缩小至 三二%。

不（bù）过（guò）Counterpoint Research也（yě）指出（chū），长鑫存储需要（yào）成功实现高介电金属闸极（HKMG）晶体管，以（yǐ）改善功耗和（hé）速度。

Counterpoint Research研究总监MS Hwang指出（chū），中（zhōng）国（guó）内存产业的（de）崛起可（kě）能（néng）改变全球市场格局，尽管目前技术与良率方面仍存挑战，但随着生（nián）成式AI与电车等新兴应用带来（lái）的（de）需求增长，中（zhōng）国（guó）有（yǒu）望在（zài）中（zhōng）低阶市场建立稳固地（dì）位。

此外，长鑫还在（zài）大（dà）力推进HBM高带宽内存，一方面提升一代HBM的（de）产能（néng），另一方面二代HBM二已经取得重大（dà）突破，正在（zài）给客户送样，预计年（nián）中（zhōng）可（kě）小规模量产。